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dc.contributor.authorAzzaz, Zouhir-
dc.contributor.authorMerahi, Hamza-
dc.date.accessioned2022-03-21T08:43:59Z-
dc.date.available2022-03-21T08:43:59Z-
dc.date.issued2017-
dc.identifier.urihttp//localhost:8080/jspui/handle/123456789/2228-
dc.description.abstractNous avons effectué des calculs ab-initiodes propriétés structurales et électroniques de composé BaSen utilisant la méthode des ondes planes augmentées et linéarisée (FP-LAPW)parle code Wien2kdans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). Le potentiel d’échange et de corrélation a été traitée à l’aide de l’approximation du gradient généralisé (GGA) et l’approximation de la densité locale (LDA).Les propriétés structurales de l'états fondamental ont été déterminées pour les deux phases NaCl(B1) et CsCl(B2). Le paramètre du réseau a, le module de compressibilité B et sa dérivée B’etla pression de transition ainsi que la structure la plus stable sont déterminés,les résultats obtenus sont en concordance avec les résultats expérimentaux. La structure de bande électronique et les densités d’états partielles et totales ont été calculées.en_US
dc.description.sponsorshipBelghit Hanaen_US
dc.language.isofren_US
dc.publisherUniversite laarbi tebessi tebessaen_US
dc.subjectحسابات المبدأ الأول،FPLAPW، DFT،LDA،GGA، البنية الإلكترونية ،العصابة الممنوعة، كثافة الحالات، انصاف النواقل II-VI، هالوجينات الباريومen_US
dc.subjectcalculsab-initio, FP-LAPW, DFT, LDA, GGA, structure électronique, bande interdite, densité d'états, semi-conducteurs II-VI, chalcogénure de barium.en_US
dc.subjectab-initiocalculations, FP-LAPW, DFT, LDA, GGA, electronic structure, band gap, density of stats, II-VI semi-conductor, barium chalcogenidesen_US
dc.titleEtude ab-initio des propriétés structurales et électroniques de BaSen_US
dc.typeThesisen_US
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