Please use this identifier to cite or link to this item: http//localhost:8080/jspui/handle/123456789/2259
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dc.contributor.authorBacha, Dalal-
dc.contributor.authorSaidane, Kaouther-
dc.date.accessioned2022-03-21T12:42:52Z-
dc.date.available2022-03-21T12:42:52Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.urihttp//localhost:8080/jspui/handle/123456789/2259-
dc.description.abstractL'objectif de ce travail c’est le calcul des propriétés structurales et électroniques de PbS et PbSe dans la phase B1 en utilisant la méthode des pseudopotentiels avec l’approximation GGA. Notre calcul des paramètres d’équilibre structuraux, la constante de réseau, le module de compression et sa dérivée avec la minimisation de l’énergie en fonction de volume, les résultats concorde avec les autres data. Pour obtenir les propriétés électroniques il faut trouver les gaps énergétiques, on a trouvé les valeurs 0.42 ev pour le composé PbS et 0.29 ev pour le composé PbSe dans la phase B1, ces matériaux sont des semiconducteurs avec gap direct. Les résultats sont interprétés avec les densités d’états de ces matériaux et sont en bon accord avec d’autre calculen_US
dc.description.sponsorshipChaouche Yassineen_US
dc.language.isofren_US
dc.publisherUniversite laarbi tebessi tebessaen_US
dc.titleEtude ab initio des propriétés structurales et électroniques des composés PbS et PbSeen_US
dc.typeThesisen_US
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