Please use this identifier to cite or link to this item: http//localhost:8080/jspui/handle/123456789/2263
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dc.contributor.authorAbidi, Larbi-
dc.contributor.authorDris, Khelil-
dc.date.accessioned2022-03-21T12:48:58Z-
dc.date.available2022-03-21T12:48:58Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.urihttp//localhost:8080/jspui/handle/123456789/2263-
dc.description.abstractL’application des composants Métal-Isolant-Semiconducteur (MIS) en électronique est basée sur la compréhension et le développement du concept du dispositif électronique. Toutefois, il existe des outils de simulation et modélisation permettant de comprendre non seulement la maitrise des composants mais aussi et surtout de maîtriser les paramètres limitatifs des performances de celles-ci. Afin de comprendre les effets des différents paramètres décuvant la caractéristique courant-tension(I-V) pour les structures MIS, un modèle simulant cette caractéristique I-V est utilisé en mode obscurité.en_US
dc.description.sponsorshipN. Rouagen_US
dc.language.isofren_US
dc.publisherUniversite laarbi tebessi tebessaen_US
dc.titleEtude des effets des paramètres du courant de conduction "la caractéristique (I-V)" des structures MISen_US
dc.typeThesisen_US
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