Étude de l’effet de l’oxygène sur les propriétés physiques du Sélénium

Abstract

Durant cette recherche, on a utilisé la méthode des ondes planes augmentées linéarisées, qui est basé sur la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) pour calculer la propriété électronique du Se-O telle que la densité d’ètat.De plus on a calculé aussi les propriétés optiques concernant α,ℰ1 et ℰ2 . Le calcul est fait en utilisant Le potentiel d’échange et de corrélation dans le cadre de l’approximation du gradient généralisé GGA. Les résultats obtenus de Se-O ont était comparé avec celle du Se pour déterminé les effets de l’oxygène sur le Se. L’oxygène a introduit deux niveaux énergétiques de défauts localisés dans la bande interdite. Les résultats calculés sont expliqués à base de ces défauts.