Please use this identifier to cite or link to this item: http//localhost:8080/jspui/handle/123456789/2288
Title: La Simulation électromagnétique par la méthode itérativa basée sue le concept de ‘onde ( W.C.I.P)
Authors: Khouiled, Souhaila
Ninouh, Meriem
Keywords: موجة كهرومغناطيسية، موجه موجي، الطريقة التكرارية، نمذجة، محاكاة
E/M wave, Waveguide, iterative method, modeling, simulation
Onde E/M, Guide d’onde, méthode itérative, modélisation, simulation
Issue Date: 2019
Publisher: Universite laarbi tebessi tebessa
Abstract: Dans ce mémoire, nous avons essayé de mettre en évidence l’importance des simulateurs électromagnétiques dans l’industrie des circuits micro ondes. Les ingénieurs traitent des problèmes du monde réel : ils conçoivent, testent, mesurent et simulent. La modélisation et la simulation électromagnétiques (EM-MODSIM), ainsi que la validation, la vérification et l'étalonnage (VV & C) sont donc devenues des questions importantes du génie électromagnétique. Les concepteurs des simulateurs doivent bien comprendre la physique du problème, avoir une base théorique solide, utiliser des simulations sur ordinateur et appuyer leurs résultats au moyen de mesures. Le premier chapitre du mémoire présente l’état de l’art de la propagation des ondes électromagnétiques dans le vide et dans les milieux stratifiés et aussi une présentation des guides d’ondes particulièrement le guide d’onde rectangulaire et le concept des iris qui ne sont autre que des obstacles posés à l’intérieur du guide d’ondes pour traiter l’onde. Le deuxième chapitre présente une étude théorique détaillée de la méthode itérative qui est une méthode de caractérisation électromagnétique récente. Dans le dernier chapitre, on a fait une présentation du programme de simulation développé sous MATLAB et basée sur la méthode itérative qui est conçue sur la base de l’onde transverse et de la transformation de Fourier rapide FFT , le tout couronné par la simulation de deux circuits résonnants par un choix adéquat des paramètres de la structure (dimensions, qualité du substrat...) ainsi que des paramètres de simulation ( bande passante, nombre d’itérations..) . Nous avons tracé des courbes représentant les caractéristiques des circuits simulés comme l’impédance d’entrée, l’admittance d’entrée et les coefficients de transmission et de réflexion à l’interface du circuit
URI: http//localhost:8080/jspui/handle/123456789/2288
Appears in Collections:5- علوم المادة

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
memoire KHOUILED_NINOUH.pdf3,31 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

Admin Tools