Modélisation de la diffusion des dopants dans le silicium pour la réalisation des cellules photovoltaïques.

Abstract

L'énergie électrique est considérée comme un des principaux facteurs essentiels dans la vie, sa demande augmente d’une façon exponentielle dans le monde. Parmi la variété des sources d’énergies, il y a les énergies renouvelables qui sont considérées comme énergie inépuisables, en particulier l’énergie photovoltaïque. Cette énergie représente la plus grande source d’énergie à cause de ses nombreux avantages. Dans ce mémoire, nous analysons la modélisation et la simulation de la diffusion de bore dans le silicium photovoltaïque. L'objectif de ce travail permis d’évaluer l’influence des paramètres de dopage (temps, température et concentration de surface) sur le rendement de l’émetteur. Les résultats de la simulation sont obtenus par MATLAB et PC1D, PC2D et PV Sys.