Modelisation et similationd une cellule mémoire EEPROM par TCAD-Silvaco

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	GHERAIBIA, Farida	-
dc.contributor.author	KENNAZ, Nadjoua	-
dc.date.accessioned	2022-03-24T10:06:16Z	-
dc.date.available	2022-03-24T10:06:16Z	-
dc.date.issued	2020	-
dc.identifier.uri	http//localhost:8080/jspui/handle/123456789/2327	-
dc.description.abstract	La simulation des caractéristiques de la mémoire EEPROM est fondamentale pour la conception et l’optimisation de produits de mémoire non volatile de faible puissance. La simulation des différentes étapes avec simulateur (TCAD) du transistor MOS à grille flottante utilisé habituellement dans les cellules EEPROM à mémoire non volatile effaçable électrique est présentée. Afin de comprendre les mécanismes de transport de charge pour les dispositifs MOS, le Simulateur (TCAD) a permis une simulation et des études des propriétés électriques à savoir capacité-tension (C-V) et les caractéristiques notamment courants-tension (I-V) des structures MOS. Principalement, l’extraction des paramètres de Fowler-Nordheim dans un oxyde mince (polysilicium) SiO2 est présentée.	en_US
dc.description.sponsorship	N. Rouag	en_US
dc.language.iso	fr	en_US
dc.publisher	Universite laarbi tebessi tebessa	en_US
dc.title	Modelisation et similationd une cellule mémoire EEPROM par TCAD-Silvaco	en_US
dc.type	Thesis	en_US
Appears in Collections:	5- علوم المادة

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