Dépôt DSpace/Université Larbi Tébessi-Tébessa

Etude ab-initio des propriétés structurales et électroniques de BaS

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dc.contributor.author Azzaz, Zouhir
dc.contributor.author Merahi, Hamza
dc.date.accessioned 2022-03-21T08:43:59Z
dc.date.available 2022-03-21T08:43:59Z
dc.date.issued 2017
dc.identifier.uri http//localhost:8080/jspui/handle/123456789/2228
dc.description.abstract Nous avons effectué des calculs ab-initiodes propriétés structurales et électroniques de composé BaSen utilisant la méthode des ondes planes augmentées et linéarisée (FP-LAPW)parle code Wien2kdans le cadre de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT). Le potentiel d’échange et de corrélation a été traitée à l’aide de l’approximation du gradient généralisé (GGA) et l’approximation de la densité locale (LDA).Les propriétés structurales de l'états fondamental ont été déterminées pour les deux phases NaCl(B1) et CsCl(B2). Le paramètre du réseau a, le module de compressibilité B et sa dérivée B’etla pression de transition ainsi que la structure la plus stable sont déterminés,les résultats obtenus sont en concordance avec les résultats expérimentaux. La structure de bande électronique et les densités d’états partielles et totales ont été calculées. en_US
dc.description.sponsorship Belghit Hana en_US
dc.language.iso fr en_US
dc.publisher Universite laarbi tebessi tebessa en_US
dc.subject حسابات المبدأ الأول،FPLAPW، DFT،LDA،GGA، البنية الإلكترونية ،العصابة الممنوعة، كثافة الحالات، انصاف النواقل II-VI، هالوجينات الباريوم en_US
dc.subject calculsab-initio, FP-LAPW, DFT, LDA, GGA, structure électronique, bande interdite, densité d'états, semi-conducteurs II-VI, chalcogénure de barium. en_US
dc.subject ab-initiocalculations, FP-LAPW, DFT, LDA, GGA, electronic structure, band gap, density of stats, II-VI semi-conductor, barium chalcogenides en_US
dc.title Etude ab-initio des propriétés structurales et électroniques de BaS en_US
dc.type Thesis en_US


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