Abstract:
Le but de ce travail consiste à déterminer la forme de la distribution des états localisés dans l'espace de mobilité dans le sélénium amorphe. L’image de la densité des états est construite, essentiellement, sur la base de la photoconductivité transitoire TPC, en utilisant la méthode de transformée de Laplace à haute résolution. La densité des états localisés au-dessus de la bande de valence dans le cas pur, est constituée d'un niveau de défauts peu profonds situé à et d'un niveau de défauts à . Le défaut peu profond est relié à un changement de l'angle dièdre, tandis que le niveau profond représente le centre D- dans le modèle -U- négatif. Les résultats de la simulation montrent aussi que le dopage avec l’arsenic supprime les défauts peu profonds, et rend la répartition de la bande de valence plus abrupte. Ces changements dans la densité d'états augmentent l'importance relative des niveaux de défauts profonds dans le sélénium amorphe dopé, et expliquent le raccourcissement de la durée de vie des trous largement signalé avec l'addition de l’arsenic.
