Abstract:
L’application des composants Métal-Isolant-Semiconducteur (MIS) en électronique est
basée sur la compréhension et le développement du concept du dispositif électronique.
Toutefois, il existe des outils de simulation et modélisation permettant de comprendre
non seulement la maitrise des composants mais aussi et surtout de maîtriser les paramètres limitatifs des performances de celles-ci.
Afin de comprendre les effets des différents paramètres décuvant la caractéristique
courant-tension(I-V) pour les structures MIS, un modèle simulant cette caractéristique
I-V est utilisé en mode obscurité.
