Résumé:
Le travail de ce mémoire est consacré à la modélisation d’une étape particulière des procèdes
de fabrication mis en œuvre en microélectronique : la diffusion des dopants.
Ce travail a consisté à étudier les phénomènes physiques responsables de la diffusion, la
compréhension physique des phénomènes est nettement améliorée grâce aux outils de la
modélisation.
Nous avons étudié un procède technologique de la fabrication de dispositif en silicium, voir
comment se fait la distribution des atomes implantes sur la profondeur en variant les paramètres de
la dose, de l’énergie d’implantation, là où et la durée de recuit thermique.
Nous avons étudié un modèle des diffusions le bore et l’arsenic dans le silicium ce modèle
tient compte du mécanisme lacune des diffusions, qui permet d’expliquer les paramètres influant sur
la diffusion
