Abstract:
L'énergie électrique est considérée comme un des principaux facteurs essentiels dans
la vie, sa demande augmente d’une façon exponentielle dans le monde.
Parmi la variété des sources d’énergies, il y a les énergies renouvelables qui sont
considérées comme énergie inépuisables, en particulier l’énergie photovoltaïque. Cette
énergie représente la plus grande source d’énergie à cause de ses nombreux avantages.
Dans ce mémoire, nous analysons la modélisation et la simulation de la diffusion de
bore dans le silicium photovoltaïque.
L'objectif de ce travail permis d’évaluer l’influence des paramètres de dopage (temps,
température et concentration de surface) sur le rendement de l’émetteur.
Les résultats de la simulation sont obtenus par MATLAB et PC1D, PC2D et PV Sys.
