Abstract:
La simulation des caractéristiques de la mémoire EEPROM est fondamentale pour la
conception et l’optimisation de produits de mémoire non volatile de faible puissance.
La simulation des différentes étapes avec simulateur (TCAD) du transistor MOS à
grille flottante utilisé habituellement dans les cellules EEPROM à mémoire non volatile
effaçable électrique est présentée.
Afin de comprendre les mécanismes de transport de charge pour les dispositifs MOS,
le Simulateur (TCAD) a permis une simulation et des études des propriétés électriques à
savoir capacité-tension (C-V) et les caractéristiques notamment courants-tension (I-V)
des structures MOS. Principalement, l’extraction des paramètres de Fowler-Nordheim
dans un oxyde mince (polysilicium) SiO2 est présentée.
