Caractérisation de couches minces par ellipsométrie

Abstract

L’intense photoluminescence dans le visible observée sur le silicium poreux lui a ouvert plusieurs perspectives d’application en optoélectronique et photovoltaïque Dans ce mémoire nous avons étudié les propriétés optiques et physico-chimiques du silicium poreux au moyen de plusieurs techniques de caractérisation telles que l’ellipsométrie, la méthode FTIR et la PL. Pour l’analyse ellipsométrique, via l’application de la théorie des milieux effectifs de Bruggeman ou BEMA (Bruggeman Effective Medium Approximation). La validation de ces modèles est faite par comparaison entre les spectres simulés et ceux relevés par ellipsométrie. La photoluminescence du matériau est observée dans le domaine d’infrarouge avec une longueur d'onde proche de 680nm. Cependant, l’étude d’absorption infrarouge par FTIR a permis d’obtenir plusieurs informations sur les liaisons contenues dans ce matériau.