Dépôt DSpace/Université Larbi Tébessi-Tébessa

Influence des paramètres physiques et géométriques du transistor à effet de champ MESFET GaAs

Afficher la notice abrégée

dc.contributor.author Debab, Ilhem / Dahmane, Meriem / Encadre par Bentahar, Tarek
dc.date.accessioned 2023-01-23T15:14:07Z
dc.date.available 2023-01-23T15:14:07Z
dc.date.issued 2022-05-13
dc.identifier.uri http//localhost:8080/jspui/handle/123456789/7037
dc.description.abstract en_US
dc.language.iso fr en_US
dc.subject Influence des paramètres physiques et géométriques du transistor à effet de champ MESFET GaAs en_US
dc.subject ا خٌشا زٔیسخىس رو الأثش ا حٌم يٍ.  MESFET GaAs .  ص اّ .Schottky en_US
dc.title Influence des paramètres physiques et géométriques du transistor à effet de champ MESFET GaAs en_US
dc.type Thesis en_US


Fichier(s) constituant ce document

Ce document figure dans la(les) collection(s) suivante(s)

Afficher la notice abrégée